TK1R4F04PB,LXGQ

Name: Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Price: 416 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

757-TK1R4F04PB,LXGQ

メーカ番号：

TK1R4F04PB,LXGQ

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

データシート:

TK1R4F04PB,LXGQ データシート

ECADモデル:

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	¥216	¥108,000
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥179.2	¥179,200
	¥176	¥352,000
	¥174.4	¥1,744,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-220SM-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	160 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.35 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	103 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	205 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Toshiba
構成:	Single
下降時間:	23 ns
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	U-MOSIX-H
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	82 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	47 ns
別の部品番号:	TK1R4F04PB,LXGQ(O
単位重量:	1.070 g

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選択した属性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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データシート

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

車載AEC-Q101認定パワーMOSFET

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車載用U-MOSIX-HパワーMOSFET

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車載デバイス

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