UF3C065030K4S

onsemi
431-UF3C065030K4S
UF3C065030K4S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 338

在庫：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,242.9 ¥4,243
¥2,714 ¥27,140
¥2,702.5 ¥324,300

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: PH
拡散国: US
原産国: PH
下降時間: 12 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 31 ns
シリーズ: UF3C
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 48 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

Models

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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