UF3C120400K3S

Name: onsemi UF3C120400K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120400K3S
Price: 1783 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

431-UF3C120400K3S

メーカ番号：

UF3C120400K3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

データシート:

UF3C120400K3S データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	7.6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.07 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	27.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	100 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	18 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	UF3C
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	34 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
単位重量:	6 g

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データシート

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

High-Performance SiC FETs

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