UJ3N120070K3S

onsemi
431-UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S

メーカ:

詳細:
JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3

ECADモデル:
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在庫: 516

在庫:
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工場リードタイム:
31 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,240 ¥3,240
¥2,665.6 ¥26,656
¥2,305.6 ¥230,560

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
1.2 kV
20 V
33.5 A
70 mOhms
254 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
ブランド: onsemi
製品タイプ: JFETs
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トレードネーム: SiC JFET
単位重量: 11 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.