RD3N07BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N07BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N07BBHTL1
Price: 568 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RD3N07BBHTL1

メーカ番号：

RD3N07BBHTL1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET TO252 N-CH 80V 105A

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	¥211.2	¥211,200
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥204.8	¥512,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	105 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	46 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	89 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	38 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	25 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	63 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	32 ns

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ECCN:: EAR99

Nチャンネル車載グレードパワーMOSFET

ROHM Semiconductor 低オン抵抗のNチャンネル車載グレードパワーMOSFETは、最大消費電力が142W。ラインナップは、小型で高駆動パッケージで販売されており、取り付け面積を大幅に削減できます。これらのMOSFETは、AEC-Q101認定、RoHS準拠、ハロゲンフリーです。ROHM Nチャンネル車載グレードパワーMOSFETの理想的なアプリケーションには、、先進運転支援システム（ADAS）、ボディ、照明、インフォテインメントなどがあります。