NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。 さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。  

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,465在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,500在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,480在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 15.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17.3 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,180在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,353在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape