STGWA50IH65DF

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65DF
Price: 673 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STGWA50IH65DF

メーカ番号：

STGWA50IH65DF

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

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	¥465.6	¥4,656
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	¥296	¥177,600
	¥283.2	¥339,840
10,200	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.5 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	100 A
Pd - 電力損失:	300 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	HB2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	100 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	6.100 g

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データシート

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V IHシリーズIGBT

STMicroelectronics 650V IHシリーズは、誘導加熱システムとソフトスイッチング・アプリケーションを対象に高効率のIGBTを実現しています。IGBTは、STPOWER™ファミリに属しています。これは現在、誘導加熱アプリケーションに使用されているHBシリーズを超えています。650V IHシリーズを使用すると、非常に低いターンオフ・エネルギーと組み合わされたさらなる低V_CE(sat)のおかげで、最終アプリケーションでの効率性の向上を確保できます。TO-247ロングリードパッケージでは40Aと50Aのデバイスが利用できるようになっています。また、20Aと30Aのデバイスも開発中です。

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。