STL8N80K5

Name: STMicroelectronics STL8N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8N80K5
Price: 588 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STL8N80K5

メーカ番号：

STL8N80K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

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データシート:

STL8N80K5 データシート (PDF)

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥588.8	¥589
	¥384	¥3,840
	¥270.4	¥27,040
	¥238.4	¥119,200
	¥225.6	¥225,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥190.4	¥571,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-5x6-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	4.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	800 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	16.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	42 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperMESH
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	STL8N80K5
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	32 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
単位重量:	76 mg

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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