|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
- MR25H40CDF
- Everspin Technologies
-
1:
¥4,054.4
-
706在庫
-
940予想2026/04/01
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40CDF
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
|
|
706在庫
940予想2026/04/01
|
|
|
¥4,054.4
|
|
|
¥3,756.8
|
|
|
¥3,638.4
|
|
|
¥3,548.8
|
|
|
表示
|
|
|
¥3,460.8
|
|
|
¥3,345.6
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A08ACYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥5,704
-
405在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08ACYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
405在庫
|
|
|
¥5,704
|
|
|
¥5,276.8
|
|
|
¥5,107.2
|
|
|
¥4,980.8
|
|
|
表示
|
|
|
¥4,804.8
|
|
|
¥4,680
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A08AMYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥8,393.6
-
316在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
316在庫
|
|
|
¥8,393.6
|
|
|
¥7,756.8
|
|
|
¥7,536
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A08AYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥5,457.6
-
291在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
291在庫
|
|
|
¥5,457.6
|
|
|
¥5,051.2
|
|
|
¥4,904
|
|
|
¥4,780.8
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A16ACYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥5,342.4
-
148在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A16ACYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
148在庫
|
|
|
¥5,342.4
|
|
|
¥4,952
|
|
|
¥4,798.4
|
|
|
¥4,683.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥4,523.2
|
|
|
¥4,427.2
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥8,774.4
-
54在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
54在庫
|
|
|
¥8,774.4
|
|
|
¥8,108.8
|
|
|
¥7,846.4
|
|
|
¥7,649.6
|
|
|
¥7,374.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A16AVYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥6,480
-
101在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A16AVYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
101在庫
|
|
|
¥6,480
|
|
|
¥6,004.8
|
|
|
¥5,814.4
|
|
|
¥5,676.8
|
|
|
表示
|
|
|
¥5,512
|
|
|
¥5,408
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR2A16AYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥5,425.6
-
270在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A16AYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
270在庫
|
|
|
¥5,425.6
|
|
|
¥5,022.4
|
|
|
¥4,862.4
|
|
|
¥4,742.4
|
|
|
表示
|
|
|
¥4,624
|
|
|
¥4,387.2
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BCYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥9,600
-
280在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BCYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
280在庫
|
|
|
¥9,600
|
|
|
¥8,865.6
|
|
|
¥8,577.6
|
|
|
¥8,363.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥8,064
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A08BYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥6,985.6
-
401在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
401在庫
|
|
|
¥6,985.6
|
|
|
¥6,457.6
|
|
|
¥6,273.6
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
- MR5A16ACMA35
- Everspin Technologies
-
1:
¥15,398.4
-
24在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR5A16ACMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
|
|
24在庫
|
|
|
¥15,398.4
|
|
|
¥14,206.4
|
|
|
¥13,393.6
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
- EM004LXQBDH13ES1T
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,424
-
47在庫
|
Mouser 部品番号
936-M004LXQBDH13ES1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
|
|
47在庫
|
|
|
¥2,424
|
|
|
¥2,248
|
|
|
¥2,177.6
|
|
|
¥2,124.8
|
|
|
表示
|
|
|
¥2,072
|
|
|
¥1,980.8
|
|
|
¥1,979.2
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
- EM004LXOBB320IS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,088
-
70在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M004LXOBB320IS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
|
|
70在庫
|
|
|
¥3,088
|
|
|
¥2,864
|
|
|
¥2,774.4
|
|
|
¥2,760
|
|
|
表示
|
|
|
¥2,640
|
|
|
¥2,491.2
|
|
|
¥2,488
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
- EM004LXQBDH13IS1T
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,587.2
-
67在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M004LXQBDH13IS1T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
|
|
67在庫
|
|
|
¥2,587.2
|
|
|
¥2,396.8
|
|
|
¥2,320
|
|
|
¥2,262.4
|
|
|
表示
|
|
|
¥2,204.8
|
|
|
¥2,155.2
|
|
|
¥2,088
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥4,782.4
-
227在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
227在庫
|
|
|
¥4,782.4
|
|
|
¥4,427.2
|
|
|
¥4,286.4
|
|
|
¥4,179.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥4,076.8
|
|
|
¥3,926.4
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR256A08BCMA35
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,115.2
-
18在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BCMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
18在庫
|
|
|
¥2,115.2
|
|
|
¥2,003.2
|
|
|
¥1,904
|
|
|
¥1,857.6
|
|
|
表示
|
|
|
¥1,812.8
|
|
|
¥1,688
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR256A08BCYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥1,984
-
17在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BCYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
17在庫
|
|
|
¥1,984
|
|
|
¥1,843.2
|
|
|
¥1,744
|
|
|
¥1,683.2
|
|
|
¥1,640
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H10CDFR
- Everspin Technologies
-
1:
¥1,875.2
-
19在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10CDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
19在庫
|
|
|
¥1,875.2
|
|
|
¥1,742.4
|
|
|
¥1,689.6
|
|
|
¥1,648
|
|
|
表示
|
|
|
¥1,401.6
|
|
|
¥1,608
|
|
|
¥1,555.2
|
|
|
¥1,516.8
|
|
|
¥1,478.4
|
|
|
¥1,401.6
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR4A16BCYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥9,014.4
-
5在庫
-
324予想2026/08/19
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BCYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
5在庫
324予想2026/08/19
|
|
|
¥9,014.4
|
|
|
¥8,329.6
|
|
|
¥8,060.8
|
|
|
¥7,859.2
|
|
|
¥7,638.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
- MR5A16AMA35
- Everspin Technologies
-
1:
¥14,176
-
3在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR5A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
|
|
3在庫
|
|
|
¥14,176
|
|
|
¥13,076.8
|
|
|
¥12,648
|
|
|
¥12,329.6
|
|
|
表示
|
|
|
¥12,248
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM064LXQAB313HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥35,630.4
-
100予想2026/03/04
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB313HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
100予想2026/03/04
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM064LXQADG13HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥35,630.4
-
95予想2026/03/04
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQADG13HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
95予想2026/03/04
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM128LXQAB313HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥129,364.8
-
100予想2026/03/04
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
100予想2026/03/04
|
|
|
¥129,364.8
|
|
|
¥117,958.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM128LXQADG13ES2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥47,590.4
-
470予想2026/04/08
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13ES2T
Mouser 初
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
470予想2026/04/08
|
|
|
¥47,590.4
|
|
|
¥43,785.6
|
|
|
¥42,412.8
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM128LXQADG13HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥129,364.8
-
90予想2026/03/04
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
90予想2026/03/04
|
|
|
¥129,364.8
|
|
|
¥117,958.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
日本