IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

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¥629.2 ¥6,292
¥462.9 ¥46,290
¥412.4 ¥206,200
¥363.5 ¥363,500

製品属性 属性値 属性の選択
iDEAL Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
ブランド: iDEAL Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: US
下降時間: 5.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 37 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.9 ns
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 41.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18.7 ns
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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low RDS(on) and QSW, resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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