GCMX040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 1200V SiC MOSFET Power Module

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,771.2 ¥3,771
¥2,726.4 ¥27,264
¥2,227.2 ¥222,720

製品属性 属性値 属性の選択
SemiQ
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
ブランド: SemiQ
下降時間: 12 ns
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 5 ns
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間: 21 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）: 3.8 V
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The device delivers low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMX040B120S1-E1 Power Module has a low QRR at high temperatures and permits direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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