GC05MPS33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GC05MPS33J-TR
GC05MPS33J-TR

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詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

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Navitas Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
SiC Schottky MPS
Reel
ブランド: GeneSiC Semiconductor
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
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データシート

USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (IF) of 8A and a total capacitative charge (Qc) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.  

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