GC05MPS33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GC05MPS33J-TR
GC05MPS33J-TR

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

データシート:
ECADモデル:
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在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
22 週間 工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,986.4 ¥3,986
¥3,705.7 ¥37,057
完全リール（800の倍数で注文）
¥3,704 ¥2,963,200

製品属性 属性値 属性の選択
Navitas Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
ブランド: GeneSiC Semiconductor
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (IF) of 8A and a total capacitative charge (Qc) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.  

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