Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

すべての結果 (55)

フィルタリングオプションを見るには下記のカテゴリーを選択し、検索範囲を絞ります。
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
418予想2026/06/30
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
260予想2026/08/13
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
147予想2026/12/08
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
348予想2026/07/21
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108予想2026/06/30
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
455予想2026/09/18
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
133予想2026/07/10
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 32Mx8, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 220
複数: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory メモリモジュール メモリモジュール, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory メモリモジュール メモリモジュール, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory メモリモジュール メモリモジュール, DDR3, SODIMM, 16GB, x72, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 264
複数: 264