NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 378 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

863-FS5832NLWFT1G-UM

メーカ番号：

NVMFS5832NLWFT1G-UM

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

ライフサイクル:

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データシート:

NVMFS5832NLWFT1G-UM データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	51 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	127 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	21 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	24 ns
シリーズ:	NVMFS5832NL
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	27 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns

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データシート

NVMFS5832NLWFT1G-UM データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Nチャンネル40V&60V車載用パワーMOSFET

onsemi NVMFSCx車載用パワー40Vおよび60V MOSFETは、5mm x 6mmデュアルサイド冷却パッケージでご用意があり、コンパクトで効率的な設計に最適です。シングルNチャンネルデバイスは、1.5mΩおよび0.9mΩR_DS(on)（ドレイン-ソースON抵抗）が特徴で、導電損失を最小限に抑えます。MOSFETには、強化された光学検査向けのウェッタブルフランクオプションがあります。また、このデバイスは、AEC-Q101認定およびPPAP対応で、車載アプリケーションに最適です。

NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVMFS5832NL シングル NチャネルパワーMOSFETは、効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFETです。高度なトレンチ技術で構築されているNVMFS5832NLは、4.2mΩ（V_GS = 10V時）という極めて低いR_DS(on) を実現しており、伝導損失の低減と熱性能の向上を可能にします。このMOSFETは、最大ドレイン・ソース電圧40Vおよび定格最大連続ドレイン電流120Aで設計されており、DC-DCコンバータ、同期整流、モータ制御など要求水準が厳しい環境に最適です。放熱性に優れ電力密度を高めるコンパクトな5mm x 6mm パワーDFNパッケージに加えて、このデバイスはゲート電荷が低く、高周波設計での効率を向上させる高速スイッチングにも最適です。

NVMx/NVTxパワーMOSFET

onsemi NVMxおよびNVTパワーMOSFETはAEC−Q101の認定を受けており、車載アプリケーション向けのコンパクトで効率的なソリューションです。NVMxおよびNVTxパワーMOSFETには、導通損失を最小限に抑える低R_DS(on)、ドライバの損失を最小限に抑える低QGと容量が備わっています。これらのシングルNチャンネルMOSFETは、コンパクトなSO-8FLおよびWDFN8の各パッケージに格納されており、無鉛、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。
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