STGWA40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40M120DF3
Price: 1038 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STGWA40M120DF3

メーカ番号：

STGWA40M120DF3

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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データシート:

STGWA40M120DF3 データシート (PDF)

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在庫: 148

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	¥438.5	¥263,100

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.85 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	468 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	M
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	40 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	38 g

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選択した属性: 0

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データシート

STGWA40M120DF3 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Sシリーズトレンチ・ゲート・フィールド・ストップ

STMicroelectronics Sシリーズ・トレンチ・ゲート・フィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチ・ゲート・フィールドストップ構造を使用して開発されました。これらのSシリーズは1200V IGBTは、低周波数産業システム効率を最大化するようにカスタマイズされています。V_CE(sat)の正温度係数に関して、パラメータ分布のばらつきが非常に小さいため、耐電力特性を向上させる並列動作が可能です。
詳細

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.