650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

結果: 28
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
構成
If - 順電流（Forward Current）
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）
Ir - 逆電流（Reverse Current）
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
データシート
在庫なし
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 600
複数： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 600
複数： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube