FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
onsemi MOSFET 20V Complementary PowerTrench 2,484在庫
5,000予想2027/01/08
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 66 mOhms, 142 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV, 600 mV 3 nC, 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
142,000取寄中
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 55 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel