DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions. 

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
データシート
3,248在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
データシート
2,684在庫
3,000予想2026/03/30
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel