CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™MOSFETは、共振ハイパワー・トポロジに最適で、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術が特徴です。このMOSFETには、統合高速ボディダイオードとCoolMOS 7シリーズがあります。一般的な高電力SMPSアプリケーションには、サーバ、テレコム、EV充電ステーションがあります。

結果: 71
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 503在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 420在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 254在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 73在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 2在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
4,000予想2027/02/11
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
2,160取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
500予想2026/11/19
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 9 週間
最低: 1
複数: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 750
複数: 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1,700
複数: 1,700
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1,700
複数: 1,700
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 750
複数: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 750
複数: 750
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW リードタイム 19 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 17 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 17 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube