Infineon - IR設計用電力システム

Infineon-IRパワーMOSFETは、お客様の製品に更なる効率性、電力密度、費用対効果をもたらすように設計されています。OptiMOS™およびStrongIRFET™ NチャンネルパワーMOSFETの完全範囲によって、スイッチモード電源(SMPS)、モーター制御と駆動、インバータとコンピューティングといったアプリケーションに関して、革新と高性能を実現します。OptiMOS™およびStrongIRFET™ファミリーは、パワーMOSFET製品の20V~300Vの範囲をカバーしています。Infineonは、OptiMOS™およびStrongIRFET™製品ファミリを提供しています。これらは、2つの高度に革新的なファミリで、電力システム設計の主要な仕様において、最高品質および性能の要求を一貫して満たしています。OptiMOS™は、発電、電力供給、電力消費を対象とした高度に効率性の高いソリューションでの市場リーダーです。
詳細

結果: 118
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
15,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
7,345予想2026/08/27
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
24,995取寄中
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
30,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
9,935予想2026/07/02
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 16.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
1,597取寄中
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
2,400予想2026/07/06
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 285 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
2,490取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
799予想2026/07/30
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 1在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 165 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
596予想2027/02/18
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 31 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS 5 Reel