1700V EliteSiC(シリコンカーバイド)ダイオード

Onsemi 1,700V Elite (シリコンカーバイド)ダイオードには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現している技術が採用されています。Onsemi 1,700V EliteSiCダイオードは、逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性、優れた熱性能が特徴です。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIとシステムサイズの削減、費用対効果の向上があります。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース 構成 If - 順電流(Forward Current) Vrrm - 繰返し逆電圧(Repetitive Reverse Voltage) Vf - 順電圧(Forward Voltage) Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current) Ir - 逆電流(Reverse Current) 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
onsemi SIC SCHOTTKYダイオード SIC JBS 1700V 25A 1,674在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 25 A 1.7 kV 1.5 V 220 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH25170A Tube
onsemi SIC SCHOTTKYダイオード Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1700 V, D1, TO-247-2L 619在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 105 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH10170A Tube