NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi
863-NTMFS3D2N10MDT1G
NTMFS3D2N10MDT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥673.6 ¥674
¥448 ¥4,480
¥376 ¥37,600
¥296 ¥148,000
¥248 ¥248,000
完全リール（1500の倍数で注文）
¥248 ¥372,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
142 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
155 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTMFS3D2N10MD
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMFS3D2N10MD NチャンネルMOSFET

Onsemi NTMFS3D2N10MD NチャンネルMOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれている高度PowerTrench® プロセスを使用して設計されています。このプロセスは、オン状態抵抗RDS (on) を最小限に抑えるように最適化されており、導通損失を最小限に抑えながらも優れたスイッチング性能を維持できます。NTMFS3D2N10MD MOSFETは、ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量、低QRR 、ソフトリカバリボディダイオード、軽負荷効率を向上させる低QOSS が特徴です。代表的なアプリケーションには、絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ、AC/DCアダプタ、DC/DCおよびAC/DCでの同期整流、BLDCモータ、負荷スイッチ、ソーラーインバータがあります。

PowerTrench技術

Onsemi  PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への 進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

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