NVBG160N120SC1

onsemi
863-NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

データシート:
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予想2026/09/22
工場リードタイム：
16
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（800の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥2,162.6 ¥2,163
¥1,504.9 ¥15,049
¥1,210.9 ¥121,090
¥1,129.5 ¥564,750
完全リール（800の倍数で注文）
¥1,129.5 ¥903,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19.5 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
33.8 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 7.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 5.5 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 11 ns
シリーズ: NVBG160N120SC1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 15 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

Onsemi 1,200VEliteSiC (シリコンカーバイド) MOSFET は、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高信頼性を提供します。これらのMOSFETには、低静電容量とゲート電荷が保証される低on抵抗が備わっています。1,200V EliteSiC MOSFETは、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの縮小をはじめとするシステムのメリットを実現しています。これらのMOSFETは、阻止電圧、高速スイッチング、低静電容量が特徴で、-55°C ～ +175°Cの温度範囲で動作します。1,200V SiC MOSFETは、AEC-Q101車載認定を受けており、RoHS準拠しています。これらのMOSFETは、ブーストインバータ、充電ステーション、DC/DCインバータ、DC/DCコンバータ、オンボード充電器 (OBC) 、モータ制御、産業用電源、サーバ電源に適しています。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFETは、 1,200Vおよび1,700Vの定格電圧を備えています。onsemi M1 MOSFET は、信頼性と効率が要求される大電力アプリケーションの要件を満たすように設計されています。M1 EliteSiC MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、ベアダイをはじめとするさまざまなパッケージオプションでご用意があります。

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET

Onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SIC MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とさらに高い信頼性を実現しています。このMOSFETは、1200Vのドレイン-ソース電圧（VDSS）と最大19.5Aのドレイン電流（ID）を特長としています。NVBG160N120SC1 MOSFETは、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを提供し、低静電容量とゲート電荷を確保します。このMOSFETは、高効率、高速動作周波数、増加した電力密度、低減された電磁干渉（EMI）、および縮小されたシステムサイズを提供します。Onsemi NVBG160N120SC1 MOSFETは、AEC-Q101規格に準拠し、自動車用オンボード充電器や電気自動車（EV）/ハイブリッド車（HEV）向けのDC/DCコンバータなど、自動車アプリケーションに適した製品です。

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