コンボFET

オンセミ(onsemi)コンボFETは、低RDS (on) onsemi SiC JFETとSi MOSFETが組み合わされている革新的なデバイスで、単一のコンパクトなパッケージに収められています。これらのコンボFETは、ソリッドステート回路ブレーカ、バッテリ切断、サージ保護といった低周波保護アプリケーション用に明示的に設計されており、ユーザーはJFETゲートにアクセスして設計を最適化できます。これらのオンセミ(onsemi)コンボFETにSi MOSFETを統合することによって、通常のoffソリューションが保証され、ディスクリート実装に比べて25%以上のサイズ削減を達成しています。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧 Vgs=0のドレイン - ソース電流 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1,793在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2 577在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube