シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
詳細

個別半導体のタイプ

カテゴリービューの変更
結果: 60
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1,034在庫
¥3,973.1
¥2,506.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 2,550在庫
¥2,172.6
¥1,229.1
¥1,210.9
¥1,202.6
¥1,137.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY 722在庫
¥4,135.9
¥3,089.5
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
345在庫
¥12,263.2
¥11,044
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 1,792在庫
¥1,837.1
¥1,018.2
¥941.8
¥931.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
199在庫
¥21,639.5
¥20,541.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
1,619在庫
¥3,559.5
¥2,765.6
¥2,682.5
¥2,601.1
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366在庫
¥8,223.6
¥6,828.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
351在庫
¥20,990.1
¥19,412.1
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 683在庫
¥13,430.8
¥11,617
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
460在庫
¥8,710.3
¥7,378.2
¥7,215.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 6A 600V 1,599在庫
カットテープ
¥842.1
¥435.2
¥395.3
¥342.2
リール
¥322.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen 6,315在庫
¥1,327.1
¥722.5
¥662.7
¥601.3
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 325在庫
¥2,700.8
¥1,531.4
¥1,509.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
366在庫
¥3,089.5
¥2,358.6
¥2,300.5
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
171在庫
¥4,343.5
¥3,167.5
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 10A 600V 607在庫
カットテープ
¥1,127.8
¥599.6
¥548.1
¥506.6
リール
¥478.4
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 798在庫
¥1,838.7
¥1,097.9
¥1,076.3
¥1,033.1
¥1,011.5
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 440在庫
¥2,474.9
¥2,031.4
¥1,769
¥1,674.3
¥1,627.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891在庫
¥2,624.4
¥1,514.8
¥1,455
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428在庫
¥4,214
¥3,006.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N 169在庫
¥3,393.4
¥2,724
¥2,503.1
¥2,451.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450在庫
¥1,587.9
¥1,066.4
¥994.9
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 704在庫
¥4,433.2
¥2,881.8
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61在庫
¥8,939.5
¥6,916.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4