シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1,034在庫
¥3,973.1
¥2,471.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 2,550在庫
¥2,172.6
¥1,229.1
¥1,137.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N 495在庫
¥8,092.4
¥7,170.5
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 683在庫
¥12,927.6
¥11,452.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
450在庫
¥8,210.3
¥7,114.1
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY 717在庫
¥4,233.9
¥3,089.5
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
341在庫
¥10,887.9
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366在庫
¥7,743.6
¥6,732
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 6A 600V 1,599在庫
カットテープ
¥842.1
¥435.2
¥387
¥342.2
リール
¥318.9
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 1,147在庫
¥1,177.6
¥627.9
¥574.7
¥506.6
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
351在庫
¥19,966.9
¥19,136.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 325在庫
¥2,700.8
¥1,531.4
¥1,509.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
199在庫
¥20,780.8
¥20,254.2
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
1,619在庫
¥3,315.4
¥2,564.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen 6,315在庫
¥1,327.1
¥722.5
¥662.7
¥601.3
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 798在庫
¥1,935.1
¥1,089.6
¥1,071.3
¥1,011.5
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 440在庫
¥2,730.7
¥2,067.9
¥1,769
¥1,675.9
¥1,627.8
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 12A DPAK 472在庫
カットテープ
¥1,234.1
¥661.1
¥606.3
¥571.4
リール
¥533.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 10A 600V 482在庫
カットテープ
¥1,127.8
¥599.6
¥548.1
¥506.6
リール
¥473.4
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891在庫
¥2,624.4
¥1,514.8
¥1,455
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428在庫
¥4,142.5
¥2,964.9
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N 169在庫
¥2,890.1
¥2,582.9
¥2,476.6
¥2,458.3
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
366在庫
¥3,237.3
¥2,290.5
¥2,268.9
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
171在庫
¥4,298.7
¥3,124.3
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450在庫
¥1,456.7
¥1,013.2
¥983.3
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3