NTH4L018N075SC1

onsemi
863-NTH4L018N075SC1
NTH4L018N075SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

ライフサイクル:
新製品:
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¥2,521.6 ¥252,160

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
99 A
18 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
262 nC
- 55 C
+ 175 C
500 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 9.6 ns
パッケージ化: Tube
製品: SiC MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 24 ns
シリーズ: NTH4L018N075SC1
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 46 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L018N075SC1 NチャンネルSiC MOSFET

onsemi NTH4L018N075SC1 Nチャネルシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、低オン抵抗、750V M2 EliteSiC MOSFETで、コンパクトなTO247-4Lパッケージで提供しています。このSiC MOSFETは、低キャパシタンス（Coss = 365pF）による高速スイッチング、ボディダイオードの逆回復電流ゼロ、ケルビンソース構成をサポートしています。NTH4L018N075SC1 SiC MOSFETは、QG(tot) = 262nCの超低ゲート電荷量、-8V/+22Vのゲートソース間電圧、500Wの電力損失を特長としています。代表的な用途には、ソーラーインバータ、EV充電ステーション、エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置（UPS）、スイッチモード電源（SMPS）などがあります。

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