SuperFET® II 電源MOSFET

FairchildのSuperFET® II パワーMOSFETは、先進の電荷バランスメカニズムを採用して、極めて低いオン抵抗や低いゲート電荷を実現した高電圧MOSFETファミリーの最新製品です。この最先端技術は、導電損失を最小限に抑え、卓越した切り替え性能を実現するだけでなく、極限的な電圧上昇率耐性およびアバランシェエネルギー耐性があります。SuperFET® II MOSFETは、切り替えモードでの幅広いAC/DC電力変換に最適で、システムの小型化および効率性の向上を実現しています。
詳細

結果: 28
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化

onsemi MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
データシート
486在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 136 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
データシート
217在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 299 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
データシート
798予想2026/04/17
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube