SIS890ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS890ADN-T1-GE3
SIS890ADN-T1-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥211.2 ¥211
¥133.6 ¥1,336
¥88.2 ¥8,820
¥69.9 ¥34,950
¥63.7 ¥63,700
完全リール(3000の倍数で注文)
¥55.5 ¥166,500
¥51.4 ¥308,400
¥48.3 ¥434,700
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
24.7 A
25.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
下降時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 45 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
シリーズ: SIS
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
単位重量: 1 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。  

SiS890ADN Nチャンネル100V MOSFET

Vishay / Siliconix SiS890ADN Nチャンネル100V MOSFETは、100VDCドレイン-ソース電圧、40Aパルスドレイン電流、シングル構成になっています。SiS890ADN MOSFETは、TrenchFET® GEn IVパワーに加えて低RDS x Qg性能指数(FOM)が特徴です。このMOSFETは、RgおよびUIS試験を100%済みです。Vishay SiS890ADN Nチャンネル100V MOSFETは、同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、回路保護に最適です。