ホットスワップおよびソフト起動用CCPAK ASFET

Nexperiaホットスワップおよびソフト起動用CCPAK ASFET は、信頼性の高い線形モード、強化型SOA、および低RDS(on)を提供します。CCPAK ASFETは、稼働中のシステムに交換用ボードを挿入する際に、部品を保護するために、突入電流を慎重に制御するように設計されています。このデバイスは、これらの常時オンシステムが決して切断されることがないようにします。Nexperia CCPAK ASFETは、単一デバイスの強化型SOAや低RDS(on)を実現するように最適化されています。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A 25在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12 200在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12 147在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1 50在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1 245在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 495A
2,949予想2027/06/11
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel