NXH450B100H4Q2 Si/SiCハイブリッドモジュール

Onsemi  NXH450B100H4Q2 Si/SiCハイブリッド・モジュールには、1,000V、150AIGBT2点、1,200V、30A SiCダイオード2点、1,600V 30Aバイパスダイオード2点、およびNTCサーミスタが含まれています。これらのSi/SiCハイブリッド・モジュールは、低スイッチング損失、システム電力損失の低減、低誘導レイアウト、プレスフィット、はんだピン・オプションを特徴としています。NXH450B100H4Q2 ハイブリッドモジュールは、ストレージ温度範囲で-40°C ~ 125°C、スイッチング条件下での動作温度範囲で-40°C ~ 125°Cを提供します。これらのSi/SiCハイブリッドモジュールは、ソーラーインバータや無停電電源装置での使用に最適です。