NVBG025N065SC1

onsemi
863-NVBG025N065SC1
NVBG025N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,168 ¥4,168
¥3,276.8 ¥32,768
¥3,272 ¥327,200
¥3,225.6 ¥1,612,800
完全リール（800の倍数で注文）
¥3,118.4 ¥2,494,720

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
106 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 19 ns
シリーズ: NVBG025N065SC1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVBG025N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Onsemi NVBG025N065SC1 シリコンカーバイド（SiC）MOSFET は、シリコンより優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。onsemi NVBG025N065SC1は、低オン抵抗、およびコンパクトなチップサイズが特徴で、低静電容量とゲート電荷が保証されます。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのシステム上のメリットがあります。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

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