NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET

Onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFETは、効率性が高くコンパクトなソリューションで、要求の厳しいパワースイッチングアプリケーション用に設計されています。これらのMOSFETは、低RDS (on) 値と高速スイッチング特性を特徴としているため、onsemi NVMFDxはDC/ DCコンバータ、モータドライブ、バッテリ管理システムでの使用に最適です。省スペースDFN-8パッケージに格納されているこれらのMOSFETは、高電流処理と熱性能をサポートしており、車載、産業、民生用電子機器に重要です。各型式には、さまざまな電流および抵抗特性が備わっており、高性能パワーシステムでの効率性と信頼性の向上を目的に堅牢なアバランシェエネルギー定格と低ゲート電荷を維持しながら、特定の設計ニーズに適しています。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,260在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 670在庫
1,500予想2026/03/27
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,346在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape