NVHL045N065SC1

onsemi
863-NVHL045N065SC1
NVHL045N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,283.8 ¥3,284
¥2,342 ¥23,420
¥1,951.7 ¥234,204

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
66 A
32 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
291 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 30 ns
シリーズ: NVHL045N065SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 26 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NVHL045N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFET

Onsemi NVHL045N065SC1シリコンカーバイド(SiC) MOSFETは、EliteSiCテクノロジーが特徴で、優れたスイッチング性能を発揮します。onsemi NVHL045N065SC1は、従来のシリコンMOSFETに比べて信頼性が向上しています。MOSFETの低オン抵抗とコンパクトなチップサイズによって低静電容量とゲート電荷がもたらされ、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、電磁干渉(EMI) の低減、さらにコンパクトなシステムサイズに貢献します。これらのMOSFETには、強化されたパワーエレクトロニクスアプリケーション用の高度技術が備わっています。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

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