DMTH6005 NチャンネルエンハンスモードMOSFET

Diodes Inc. DMTH6005 NチャンネルエンハンスモードMOSFETは、オン状態抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えて卓越したスイッチング性能を維持します。DMTH6005 MOSFETには、最大5.5mΩ@ VGS = 10V RDS(ON)、ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧60V、100%非クランプ誘導スイッチングが備わっています。175ºCに定格されたこれらのMOSFETは、高い周囲温度環境に最適です。DMTH6005LPSQは、AEC-Q101に対する車載認定を受けており、PPAPに対応しています。DMTH6005 MOSFETのアプリケーションには、高周波スイッチング、同期整流、DC-DCコンバータがあります。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2,679在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 30在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1,904在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 5,826在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,327在庫
2,500予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel