IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET HV GAN DISCRETES

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,104 ¥1,104
¥808 ¥8,080
¥652.8 ¥65,280
¥580.8 ¥290,400
完全リール（800の倍数で注文）
¥497.6 ¥398,080

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Power Transistors
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: GaN Power Transistor
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ

Infineon Technologies  CoolGaN™ Gen 2 650Vパワートランジスタは、650Vまでの電圧範囲における電力変換用の高効率 GaN（窒化ガリウム）トランジスタ技術を特徴としています。インフィニオン’の窒化ガリウム技術は、エンド・ツー・エンドの大量生産でeモードコンセプトを成熟させます。この先駆的な品質によって最高水準を保証し、最も信頼性の高い性能を備えています。強化モードの CoolGaN™ Gen 2 650V　パワートランジスタは、超高速スイッチングにより、システム効率や電力密度を向上させます。

CoolGan™ 600V eモード電源トランジスタ

Infineon Technologies CoolGan™ 600V強化モード（e-Mode）パワートランジスタは、高速なオン/オフ切り替え速度を実現し、よりシンプルなハーフブリッジトポロジーを可能にします。頑丈で信頼性の高いトランジスタは、GaNの利点を最大限に活用できる高性能 なSMDパッケージで提供されます。これらのトランジスタは、高効率、高電力密度、高い動作周波数能力、および低EMIを特長としています。アプリケーションには、テレコム/データコム/サーバSMPS、ワイヤレス充電、充電器、アダプタがあります。

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