STP80N450K6

STMicroelectronics
511-STP80N450K6
STP80N450K6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥707.2 ¥707
¥380.8 ¥3,808
¥344 ¥34,400
¥283.2 ¥141,600
¥260.8 ¥260,800
¥254.4 ¥636,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N450K6 800V NチャンネルパワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V NチャンネルパワーMOSFETは、非常に高電圧のNチャンネルパワーMOSFETで、究極のMDmesh K6技術を使用して設計されています。この技術は、スーパージャンクション技術におけるSTMicroelectronicsの20年の経験に基づいています。その結果、優れた電力密度と高い効率性が必須のアプリケーションを対象とした、領域あたりのベストインクラスのオン抵抗とゲート電荷がもたらされます。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。

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