SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA433EDJ-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Vishay Semiconductors SIA433EDJ-T1-GE3の詳細を読む

在庫: 5,156

在庫：
5,156 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
5 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥107.2 ¥107
¥97.6 ¥976
¥65.6 ¥6,560
¥55 ¥27,500
¥47.2 ¥47,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥42.6 ¥127,800
¥39 ¥234,000
¥36 ¥324,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
15 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
75 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 3.5 us
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 35 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 0.6 us
シリーズ: SIA
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 10 us
ターンオン時の標準遅延時間: 0.3 us
別の部品番号: SIA433EDJ-GE3
単位重量: 41 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、低オン抵抗を実現しています。SiA433EDJ MOSFETは、-55ºC～150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成PowerPAK ® SC-70パッケージサイズでご用意しています。SiA433EDJ MOSFETは、オン抵抗定格で、広範なアプリケーションに対応しています。機能には、Zenerダイオード付き内蔵ESD保護が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチなどのポータブルデバイス、バッテリスイッチ、および充電器スイッチがあります。

TrenchFET Gen III Pチャンネル・パワーMOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III PチャンネルパワーMOSFETには、低オン抵抗および低電圧降下が備わっており、効率性とバッテリ時間を向上させています。これらのパワーMOSFETは、各種パッケージサイズでご用意があります。このPチャンネルMOSFETには、広範なアプリケーションに対応しているオン抵抗定格が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタスイッチ、バッテリスイッチ、DCモータ、充電器スイッチがあります。

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。