iS20M028S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1P
iS20M028S1P

メーカ：

詳細：
MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥691 ¥691
¥406.9 ¥4,069
¥318.9 ¥31,890
¥270.7 ¥135,350

製品属性 属性値 属性の選択
iDEAL Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
40 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
26.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SuperQ
Tube
ブランド: iDEAL Semiconductor
構成: Single
下降時間: 11.3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 1.9 ns
シリーズ: 200V
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 24.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.5 ns
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class RDS(on), QSW, and EOSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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