GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 2793 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

148-GP3D050B170B

メーカ番号：

GP3D050B170B

メーカ：

SemiQ

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

GP3D050B170B データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

SemiQ GP3D050B170Bの詳細を読む

在庫: 175

在庫：: 175 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 3 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥2,793.6	¥2,794
	¥2,236.8	¥22,368
	¥1,932.8	¥231,936
25,020	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	50 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.7 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	2.27 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	360 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	42 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
Pd - 電力損失:	789 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.7 kV

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

GP3D050B170B データシート (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

GP3D050B170B QSiC™ 1,700V SiCショットキーダイオード

SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1700Vシリコンカーバイド (SiC) ショットキーダイオードは、TO-247-2Lパッケージで供給されます。スイッチモード電源、無停電電源装置 (UPS)、ソーラーインバータ、電気自動車 (EV) 向け充電ステーションなどで求められる大きさ（サイズ）と電源の需要を満たすことができるように設計されています。このディスクリートダイオードは、ゼロ逆回復電流、ほぼゼロのスイッチング損失に加えて、熱管理性能が強化されているため冷却の必要性を低減できます。この結果システムの熱散逸を最小化できるため、高効率かつ高性能の設計が実現し、より小さなヒートシンクを使用できるようになるため、スペースとコストを削減できます。また、GP3D050B170Bモジュールは、並列構成も容易で、電源アプリケーションの柔軟性と拡張性を高めることができます。SemiQ GP3D050B170B QSiC 1700V SiCショットキーダイオードは、-55°C～+175°Cの動作時接合部温度の全範囲にわたって高速スイッチングが可能です。