Hallパッケージに収められたSiC MOSFET C3M™

TOLL パッケージのWolfspeed SiC MOSFET C3M™ は、標準的なシリコンMOSFETに比べ、オン状態抵抗の温度依存性が大幅に低くなります。MOSFETは優れたスイッチング速度と低い導通損失を特徴としており、これは次世代電源のハイパワーで高効率を達成するために重要です。SiC MOSFETは、エンタープライズ、サーバ、テレコム電源、電気自動車の充電、エネルギー貯蔵、バッテリマネジメントシステムをはじめとする高性能パワーエレクトロニクス・アプリケーションを対象に最適化されています。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 1,014在庫
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 850在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,906在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1,193在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement