STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 380 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STP80N1K1K6

メーカ番号：

STP80N1K1K6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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STP80N1K1K6 データシート (PDF)

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	¥246.4	¥2,464
	¥168	¥16,800
	¥133.8	¥66,900
	¥125.4	¥125,400
	¥113.9	¥227,800
	¥106.9	¥534,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	2 g

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STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6NチャンネルパワーMOSFETはMDmesh K6技術を使用しており、20年のスーパージャンクション技術の経験を活用しています。STMicroelectronics STP80N1K1K6MOSFETは、面積およびゲート電荷あたりのオン抵抗がトップクラスです。このデバイスは、高電力密度および効率的なアプリケーションに最適です。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。