IRS2007STRPBF

Infineon Technologies
726-IRS2007STRPBF
IRS2007STRPBF

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 200V half-bridge 0.6A,VCC & VBS UVLO

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 4,500

在庫：
4,500 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
20 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥134.4 ¥134
¥96.6 ¥966
¥87 ¥2,175
¥76.5 ¥7,650
¥71.4 ¥17,850
¥68.3 ¥34,150
¥63.2 ¥63,200
完全リール（2500の倍数で注文）
¥60.6 ¥151,500
¥59.7 ¥447,750
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
600 mA
10 V
20 V
70 ns
30 ns
- 40 C
+ 125 C
IRS200X
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
論理タイプ: CMOS, LSTTL
最長電源切断遅延時間: 220 ns
最長電源投入遅延時間: 220 ns
水分感度: Yes
オフ時間 - 最大: 220 ns
動作供給電流: 300 uA
出力電圧: 10 V to 20 V
Pd - 電力損失: 625 mW
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 220 ns
シャットダウン: No Shutdown
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
トレードネーム: EiceDRIVER
単位重量: 393.242 mg
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

200Vレベルシフト・ゲートドライバ

Infineon 200Vレベルシフトゲートドライバには、低電圧（24V、36V、48V）および中電圧（60V、80V、100V、120V）のモータ制御アプリケーション向けの3相、ハーフブリッジ、またはハイサイドおよびローサイドドライバがあります。この3相製品は、独自のSOI（シリコンオンインシュレータ）レベルシフト技術を採用しています。 この機能により、機能的絶縁、業界をリードする負のVS耐性、およびレベルシフト損失の低減を実現しています。BOMコストの削減、レイアウトの簡素化、PCBサイズの縮小を実現するために、内蔵ブートストラップダイオード（BSD）を使用したソリューションも提供しています。

IRS2007 200-Vハーフブリッジドライバ

Infineon Technologies IRS2007 200-Vハーフブリッジ・ドライバは、高電圧・高速パワーMOSFETドライバで、依存型ハイサイドおよびローサイドのリファレンス出力チャンネルが搭載されている高速パワーMOSFETドライバです。独自のHVICおよびラッチ免疫CMOS技術によって、高耐久性モノリシック構造が実現します。ロジック入力は、スタンダードのCMOSまたはLSTTL出力（最低3.3Vまでのロジック）との互換性があります。出力ドライバは、ドライバ公差導通を最小限に抑えるように設計されている高パルス電流バッファ段が特徴です。この浮動チャンネルを使用して、最高200Vまでで動作するハイサイド構成でNチャンネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動できます。伝播遅延をマッチングさせ、高周波数アプリケーションでのHVICの使用を簡素化できます。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

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