R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJパワーMOSFET

ROHM Semiconductor R8002ANJ / R8005ANJ / R8008ANJパワーMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングが特徴で、 スイッチングアプリケーションに適しており、 低オン抵抗、高速スイッチング速度、±30Vまでの電圧値を保証するゲート-ソース間電圧（VGSS）が特徴です。

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 5A N-CH MOSFET
データシート
1,986在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 2A N-CH MOSFET
データシート
1,919在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
データシート
1,826在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape