NGTB25N/NGTB40N絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

onsemi NGTB25N/NGTB40絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、堅牢で費用対効果が高い超フィールドストップトレンチ構造が特徴です。低切替損失および超高速回復ダイオードによって、高周波数ソーラー、UPS、インバータ溶接機アプリケーションに理想的です。これらのデバイスに組み込まれてる機能は、低順方向電圧が備わったソフトで速い同梱還流ダイオードです。
詳細

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化

onsemi IGBT IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
データシート
1,141在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi IGBT IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
データシート
276,120工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube