NTTFD1D8N02P1E

onsemi
863-NTTFD1D8N02P1E
NTTFD1D8N02P1E

メーカ：

詳細：
MOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥348.8 ¥349
¥243.2 ¥2,432
¥185.6 ¥18,560
¥166.4 ¥83,200
¥156.6 ¥156,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥133.1 ¥399,300

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
25 V, 25 V
61 A, 126 A
1.4 mOhms, 4.2 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V, 2 V
12 nC, 37.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W, 36 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Dual
下降時間: 1.7 ns, 5.2 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 1.1 ns, 2.3 ns
シリーズ: NTTFD1D8N02P1E
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 17.3 ns, 37.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 6.6 ns. 9.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTTFD1D8N02P1E NチャンネルMOSFET

onsemi NTTFD1D8N02P1E NチャネルMOSFETは、デュアル25V、パワークリップ、非対称デバイスです。RDS（on） 4.2mΩ HS、1.4mΩ LS、25VDSS ドレイン－ソース間電圧が特徴です。また導通損失を最小限に抑える低RDS（on）と、ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量も特徴です。このMOSFETはコンパクトな設計のために、3.3mmx 3.3mmのPQFN12小型フットプリントで提供されています。DC/DCコンバータとシステム電圧レールに適しています。

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