UMOS9-HシリコンNチャンネルMOSFET

Toshiba UMOS9-HシリコンNチャンネルMOSFETは、効率性の高いDC-DCコンバータ、スイッチング電圧レギュレータ、 モータドライバに最適です。これらのMOSFETは、小型ゲート電荷、小型出力電荷、低ドレイン－ソース間オン抵抗、低リーク電流が特徴です。UMOS9-H NチャンネルMOSFETは、80Vドレイン－ソース電圧、 ±20Vゲート－ソース電圧、175°Cチャネル温度が特徴です。また、これらのMOSFETは、 ±0.1µAゲート漏れ電流、10µAドレインカットオフ電流、 A -55°C ~ 175°Cストレージ温度範囲も特徴です。UMOS9-H NチャンネルMOSFETはRoHSに準拠しており、0.108g 2-5W1A (SOP高度(N) ) パッケージに収められています。

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
データシート
4,560在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm
データシート
4,783在庫
最低： 1
複数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
データシート
5,000在庫
最低： 1
複数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
データシート
2,837在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 40V 150A
データシート
5,000予想2026/07/17
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
データシート
15,000予想2026/07/17
最低： 1
複数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape