TK095N65Z5,S1F

Toshiba
757-TK095N65Z5S1F
TK095N65Z5,S1F

メーカ：

詳細：
MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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¥-
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,107.2 ¥1,107
¥747.2 ¥7,472
¥627.2 ¥75,264
¥571.2 ¥291,312

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
50 nC
+ 150 C
230 W
Enhancement
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 4 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 40 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 95 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 75 ns
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TK095N65Z5シリコンNチャンネル（DTMOSVI）MOSFET

Toshiba  TK095N65Z5シリコンNチャンネル（DTMOSVI）MOSFETは、650V、95m Ω 高速MOSFETで、TO-247パッケージに収められています。スイッチング電圧レギュレータアプリケーションでの使用を目的に設計されたTK095N65Z5には、高速回復時間（標準115ns）および低ドレイン-ソース間on抵抗（標準0.079Ω）が備わっています。このMOSFETは、高速スイッチング特性を実現しており、低静電容量が備わっています。

DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVIシリーズMOSFETには、低ドレイン-ソースON抵抗 (RDS(ON)= 0.033 Ω (typ)) が備わっています。これらのデバイスには、ドレイン発信源電圧650Vがあり、ドレイン電流57Aが備わっています。DTMOSVIシリーズMOSFETには、静電容量が低いさらなる高速スイッチング特性が備わっています。これらのMOSFETは、スイッチング電源アプリケーションでの使用に最適です。

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