パワーMOSFET

YAGEO XSemi パワーMOSFETは、低オン抵抗、高効率、優れたコスト効率を実現する高度な処理技術を採用しています。YAGEO XSemi パワーMOSFETは、アプリケーションのニーズに合わせた各種パッケージがあります。デバイスに使用できるパッケージは、商業および工業アプリケーションに広く使用されています。

結果: 79
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 2,868在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 2,970在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 20V 0.2A SOT-723
10,000予想2026/03/18
最低: 1
複数: 1
リール: 10,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
6,000予想2026/03/03
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel