2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
ダイオーズ (Diodes Incorporated) 2N7002 N チャンネル増強型（E モード）フィールド効果トランジスタ（FET）は、低電圧スイッチングアプリケーション向けに設計されています。これらの2N7002デバイスは、60Vの最高ドレイン－ソース電圧(VDS) 、105mA ～ 210mAの範囲の連続ドレイン電流(ID) 、7.5Ω ～ 13.5Ωの範囲の低オン抵抗[R DS(on)] を備えています。FETには、低ゲート電荷での高速スイッチング性能が備わっており、信号処理、負荷スイッチング、レベルシフティングアプリケーションに適しています。Diodes Inc.のトランジスタはコンパクトな SOT-23 パッケージに搭載されており、高密度回路設計において省スペース性を確保します。さらに、2N7002 FETは鉛フリーでRoHS準拠、かつ自動実装の表面実装組み立て向けに設計されています。
